| 发明名称 | 具有改进微型结构的层状超晶格材料的制造方法 | ||
| 摘要 | 在制造集成电路时，第一电极(48)形成在衬底(28)上。在第一实施例中，在第一电极(48)的顶部形成钽酸锶铋层(5)和第二电极(52)。在最后晶化退火之前，对第一电极(48)、钽酸锶铋层(50)和第二电极(52)进行构图。然后在衬底(28)上进行最后晶化退火。在第二实施例中，在第一和第二层(50)、(132)的顶部形成第二电极(52)之前，在钽酸锶铋层(50)的顶部淀积第二层钽酸锶铋层(132)。在第三实施例中，在钽酸锶铋层(50)上进行精细控制的UV烘焙工艺。在第四实施例中，在构图工艺之后和最后晶化退火工艺之前，在衬底上进行附加的快速热退火工艺。 | ||
| 申请公布号 | CN1613138A | 申请公布日期 | 2005.05.04 |
| 申请号 | CN01818340.9 | 申请日期 | 2001.10.30 |
| 申请人 | 塞姆特里克斯公司;精工爱普生株式会社 | 发明人 | 柄泽润一;维克伦·荷西 |
| 分类号 | H01L21/02;H01L21/316 | 主分类号 | H01L21/02 |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 夏青 |
| 主权项 | 1、一种制造集成电路(40)的方法，所述方法的特征在于以下步骤：提供衬底(28)，以及含有有效量金属部分的前体，用于在加热所述前体时自发形成层状超晶格材料(50)；向所述衬底(28)施加所述前体以形成涂层；对所述涂层进行构图；及然后处理所述被涂敷的衬底(28)，以晶化所述层状超晶格材料(50)的薄膜；和完成所述集成电路(40)的制造，以便在所述集成电路(40)中的有源部件中至少包括所述层状超晶格材料(50)的一部分。 | ||
| 地址 | 美国哥伦比亚州 | ||