| 发明名称 | 一种具有扩散阻障层的栅极结构及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明是有关一种具扩散阻障层的栅极结构与制作方法，先利用硅离子注入法形成一个扩散阻障层于多晶硅层与硅化钨金属层间，来避免进行栅极再次氧化工艺时，多晶硅层与硅化钨金属层间因化学位能差异，所产生的硅原子扩散现象，与因应力差异所导致的晶格扭曲现象，进而减少栅极的失效。 | ||
| 申请公布号 | CN1612298A | 申请公布日期 | 2005.05.04 |
| 申请号 | CN200310108325.3 | 申请日期 | 2003.10.31 |
| 申请人 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 莘海维 |
| 分类号 | H01L21/28;H01L21/336;H01L21/8234;H01L29/78 | 主分类号 | H01L21/28 |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所 | 代理人 | 余明伟 |
| 主权项 | 1、一种具有扩散阻障层的栅极的制作方法，其特征在于，包括：提供一个内部形成有数个隔离区域的半导体基底；在所述半导体基底上依序形成一个栅氧化层、一个多晶硅层、及一个硅化钨金属层；以硅离子对所述半导体基底进行离子注入，形成一个介于多晶硅层与硅化钨金属层间的扩散阻障层；用栅极光刻蚀工艺来定义出栅极结构。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江高科技园区郭守敬路818号 | ||