| 发明名称 | 半导体生产系统用的陶瓷加热器 | ||
| 摘要 | 提供了一种用于半导体制造设备的陶瓷基座，其中通过控制基座形状——特别是正常温度下外径沿着厚度——的波动，提高了在加热操作过程中晶片表面的温度均匀性。这种用于半导体制造设备的陶瓷基座(1)，在其陶瓷基片(2a)、(2b)的表面或内部有电阻加热元件(3)。不加热时陶瓷基座沿厚度的最大外径和最小外径之差为沿晶片载面的平均直径的0.8％或更小。陶瓷基座(1)还可在其陶瓷基片(2a)、(2b)的表面或内部安排等离子体电极。陶瓷基片(2a)、(2b)优选由至少一种选自氮化铝、氮化硅、氮氧化铝、和碳化硅的陶瓷制造。 | ||
| 申请公布号 | CN1613274A | 申请公布日期 | 2005.05.04 |
| 申请号 | CN03801911.6 | 申请日期 | 2003.03.20 |
| 申请人 | 住友电气工业株式会社 | 发明人 | 加智义文;柊平启;仲田博彦 |
| 分类号 | H05B3/10;H05B3/16;H05B3/18;H05B3/20;H01L21/02;H01L21/027;H01L21/68 | 主分类号 | H05B3/10 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 程金山 |
| 主权项 | 1.一种用于半导体制造设备的陶瓷基座，在其陶瓷基片的表面或内部装有电阻加热元件，这种用于半导体制造设备的陶瓷基座的特征在于，在不加热时，沿基座厚度的最大外径和最小外径之差为沿基座晶片载面的平均外径的0.8％或更小。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||