发明名称 |
GaN基III-V主族化合物半导体器件和p型电极 |
摘要 |
本发明披露p型电极和使用它的III-V主族GaN基化合物半导体器件。该电极包括第一层和第二层,所述第一层位于III-V主族氮化物半导体层之上,并由含溶质的Zn基材料形成;所述第二层层叠在所述第一层之上,并由选自Au、Co、Pd、Pt、Ru、Rh、Ir、Ta、Cr、Mn、Mo、Tc、W、Re、Fe、Sc、Ti、Sn、Ge、Sb、Al、ITO和ZnO中的至少一种形成。该Zn基p型电极具有优选的电性能、光学性能和热性能。 |
申请公布号 |
CN1612300A |
申请公布日期 |
2005.05.04 |
申请号 |
CN200410087995.6 |
申请日期 |
2004.10.26 |
申请人 |
三星电子株式会社;光州科学技术院 |
发明人 |
郭准燮;成泰连;南玉铉;宋俊午;林东皙 |
分类号 |
H01L21/28;H01L29/45;H01L33/00;H01S5/00 |
主分类号 |
H01L21/28 |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 |
代理人 |
张平元;赵仁临 |
主权项 |
1.III-V主族GaN基化合物半导体器件的电极,所述电极包括:第一层,所述第一层位于III-V主族氮化物半导体层之上,并由含溶质的Zn基材料形成;以及第二层,所述第二层层叠在所述第一层之上,并由选自Au、Co、Pd、Pt、Ru、Rh、Ir、Ta、Cr、Mn、Mo、Tc、W、Re、Fe、Sc、Ti、Sn、Ge、Sb、Al、ITO、ZITO、ZIO、GIO、ZTO、FTO、AZO、GZO、In4Sn3O12和Zn1-xMgxO(0≤x≤1)中的至少一种形成。 |
地址 |
韩国京畿道 |