| 发明名称 | 半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 公开了一种制造半导体器件的方法，包括制备具有含碳和氢的第一绝缘膜(102)和铜布线(104)的工件，以及通过对冷却的工件使用等离子体还原在铜布线表面上形成的氧化物(104a)。 | ||
| 申请公布号 | CN1612317A | 申请公布日期 | 2005.05.04 |
| 申请号 | CN200410086993.5 | 申请日期 | 2004.10.27 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 宫岛秀史 |
| 分类号 | H01L21/768;H01L21/00 | 主分类号 | H01L21/768 |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 | 代理人 | 于静;杨晓光 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件的制造方法，特征在于包括：制备具有含碳和氢的第一绝缘膜和铜布线的工件；以及通过对冷却的工件使用等离子体，还原在铜布线表面上形成的氧化物。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||