大信道宽度的磁性随机存取内存排列选择晶体管

摘要

本发明系关于一MRAM排列，其包括一选择晶体管(T)连接至数MTJ记忆胞元(1)，并具加大之信道宽度。

主权项

1.一种MRAM排列，具有多个设置在记忆胞元场内的矩阵形排列MTJ记忆胞元(1)，这些MTJ记忆胞元(1)均位于朝记忆胞元场的第一个方向延伸的位线(BI-B4)及平板线(PL)之间，具有与MTJ记忆胞元(1)相隔一定距离且逐行对应、并在记忆胞元场内朝垂直于第一个方向的第二个方向延伸的数字线(D1-D4)，具有与平板线(PL)连接的选择晶体管(T)，选择晶体管(T)的闸极连接线与字线(W1-W4)连接，且其源极--汲极段位于平板线(PL)及参考电位之间，这种MRAM排列的特征为：配属于选择晶体管(T)的多个MTJ记忆胞元(1)的配属方式能够使选择晶体管(T)可以依据配属于它的MTJ记忆胞元(1)的数量决定其信道宽度。