发明名称 | 多指状晶体管 | ||
摘要 | 本发明公开了一种多指状晶体管,它包括多个并列的晶体管。每一个晶体管包括栅介电层与栅极、源/漏极区,以及位于源/漏极区外围基底中的漂移区,其中漂移区分隔源/漏极区与栅极下的通道区。在所述多指状晶体管中,漂移区自源/漏极区侧边延伸出的宽度从多指状晶体管的边缘部分朝中间部分递增。 | ||
申请公布号 | CN1612354A | 申请公布日期 | 2005.05.04 |
申请号 | CN200310102660.2 | 申请日期 | 2003.10.28 |
申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 郑志男 |
分类号 | H01L29/78;H01L23/60 | 主分类号 | H01L29/78 |
代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 李晓舒;魏晓刚 |
主权项 | 1.一种多指状晶体管,包括:多个并列的晶体管,每一晶体管包括:一栅介电层与一栅极,位于一基底上;一源/漏极区,位于所述栅极两侧的所述基底中;以及一漂移区,位于所述源/漏极区外围的所述基底中、并分隔该源/漏极区与所述栅极下方的一通道区,其中,各漂移区自源/漏极区侧边延伸的宽度从所述多指状晶体管的边缘部分朝中间部分递增。 | ||
地址 | 台湾省新竹科学工业园区 |