分闸式快闪记忆胞的选择闸极的制作方法

摘要

一种分闸式快闪记忆胞的选择闸极的制作方法，是于半导体基材的沟渠侧壁形成选择闸极，以缩小选择闸极的横向尺寸并保持信道长度；该选择闸极的制作方法至少包含形成一沟渠于悬浮闸极结构一侧的半导体基材中；形成一间复晶硅介电层于该悬浮闸极结构及该沟渠的侧壁上；及形成一复晶硅间隙壁于该间复晶硅介电层侧壁以作为选择闸极；此种分闸式快闪记忆胞是可产生弹道热电子，改善资料写入效率及降低写入电压。

主权项

1.一种分闸式快闪记忆胞的选择闸极的制作方法，是应用于一半导体基材上，该半导体基材上已形成至少一具有闸极氧化层/复晶硅层/第一氧化层的悬浮闸极结构及一源极区，该方法至少包含下列步骤：形成一沟渠于该悬浮闸极结构的一侧的该半导体基材中，该沟渠是位于该源极区的相对侧；形成一间复晶硅介电层于该悬浮闸极结构及该沟渠的侧壁上；形成一复晶硅间隙壁于该间复晶硅介电层侧壁上以作为选择闸极；及形成一汲极区于该沟渠的该半导体基材中，该汲极区是相邻该选择闸极。