调节半导体器件中载流子迁移率的方法和装置

摘要

本发明提供了一种调节半导体器件中载流子迁移率的方法和装置。在制造互补型金属－氧化物－半导体(CMOS)场效应晶体管(包括nFET和pFET)时，通过使栅极材料和金属反应在晶体管栅极内产生应力合金(最好是CoSi₂、NiSi、或PdSi)，提高或调节了载流子的迁移率。在nFET和pFET同时存在的情况中，各个合金的固有应力在各个晶体管的沟道上导致相反的应变。通过在nFET和pFET合金或硅化物中保持相反的应变，在单个芯片或衬底上的两类晶体管的载流子迁移率都可得到提高，从而提高CMOS器件和集成电路的性能。

主权项

1.一种调节半导体器件中载流子迁移率的方法，包括以下步骤：淀积金属或金属组合物，以接触第一或第二晶体管栅极结构中的一个，以及使所述金属和所述晶体管栅极结构成为合金，以在所述晶体管栅极内形成第一应力合金，从而在所述第一或第二晶体管的至少一个相应的沟道中产生第一应力，而没有在所述第一或第二晶体管的另一个晶体管的至少一个沟道中产生应力。