Verfahren zur Herstellung eines Lochgraben-Speicherkondensators in einem Halbleitersubstrat und Lochgraben-Speicherkondensator

摘要

Zur Herstellung eines Lochgraben-Speicherkondensators (9) mit einer in einem Lochgraben (2) ausgebildeten Innenelektrode (6) und einer in einem den Lochgraben (2) in einem unteren Abschnitt umfangenden Elektrodenabschnitt (14) des Halbleitersubstrats (1) ausgebildeten Außenelektrode (11) wird die Innenelektrode (6) bis über die Substratoberfläche (1) des Halbleitersubstrats (1) herausgeführt. Anschließend wird auf die Substratoberfläche (10) durch einen Epitaxieprozess eine Zusatzschicht (13) aufgewachsen, die das Halbleitersubstrat (1) erweitert. Eine Übergangsfläche (7) zur Kontaktierung der Innenelektrode (6) sowie mindestens ein Teil eines Isolationskragens (14) wird oberhalb der ursprünglichen Substratoberfläche (10) ausgebildet und damit eine zur Ladungsspeicherung nutzbare Oberfläche des Lochgraben-Speicherkondensators (9) bei gleichem Aspektverhältnis einer Ätzung zur Ausbildung des Lochgrabens (2) vergrößert.