| 发明名称 | 互补金属氧化物半导体成像器件 | ||
| 摘要 | 一个CMOS成像器包括一个诸如光电二极管或光控门的光敏元件，该光敏元件包括与位于光敏区域附近的一个FET相连接的检测节点。构成运算放大器差动输入对的另一个FET位于像素阵列的外围。运算放大器被配置为单位增益，输入FET的列或者行被并行连接。一个相关双抽样器被连接到运算放大器的输出以提供没有固定模式噪声的信号。 | ||
| 申请公布号 | CN1200555C | 申请公布日期 | 2005.05.04 |
| 申请号 | CN99804073.8 | 申请日期 | 1999.03.10 |
| 申请人 | 光子图像系统股份有限公司 | 发明人 | 詹弗瑞·J·扎尔诺斯基;马修·A·培斯 |
| 分类号 | H04N3/15 | 主分类号 | H04N3/15 |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 谷惠敏;李辉 |
| 主权项 | 1.一种成像器件，具有限定在周边内的多个像素(12)的焦平面成像阵列，该阵列具有行轴和列轴，所述每个像素(12)包括将入射辐射转化成电荷的区域；其特征在于，还包括多个一体化的差动输入放大器(30)，每个放大器(30)具有多个第一输入晶体管(15)，在每个所述像素(12)上有一个第一输入晶体管(15)，并且第二输入晶体管(24)位于阵列的周边之外且连接到第一输入晶体管(15)从而建立一个反馈回路。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||