| 发明名称 | 用激光脉冲沉积法制备室温正巨磁阻效应的铁碳薄膜材料 | ||
| 摘要 | 本发明公开了属于磁学量传感器材料的一种用激光脉冲沉积法制备室温正巨磁阻效应的铁碳薄膜材料。是在Si(100)基片上，用不同比例的Fe-C复合冷压靶材，在3-5Pa氩气条件下，利用激光脉冲沉积方法在一定温度下沉积得Fe-C薄膜。在同样制备条件下，不同靶材成分，其薄膜厚度不同，薄膜厚度约为：30-120nm。该材料在温度为300K、外加磁场为1T的条件下的正磁阻效应可高达49.5％。Fe-C材料价格低廉，性能优越，是一种很好的磁传感器材料。 | ||
| 申请公布号 | CN1200468C | 申请公布日期 | 2005.05.04 |
| 申请号 | CN03100177.7 | 申请日期 | 2003.01.09 |
| 申请人 | 清华大学 | 发明人 | 章晓中;薛庆忠;朱丹丹 |
| 分类号 | H01L43/12;H01L43/10 | 主分类号 | H01L43/12 |
| 代理机构 | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 | 代理人 | 李光松 |
| 主权项 | 1.一种用激光脉冲沉积法制备室温正巨磁阻效应的铁碳薄膜材料，其特征在于：Fe-C薄膜是在Si(100)基片上，用铁含量的重量比为1-70％压成Fe-C复合冷压靶材，在真空镀膜室中，用激光脉冲沉积法在3-5Pa氩气条件下，基片在恒定温度下沉积，获得具有室温正巨磁阻效应的铁碳薄膜。 | ||
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