发明名称 METHOD FOR FABRICATING TOP GATE TYPE TFT TO REDUCE STANDBY CURRENT AND INCREASE ON-CURRENT
摘要
申请公布号 KR100489588(B1) 申请公布日期 2005.05.04
申请号 KR19970077466 申请日期 1997.12.29
申请人 HYNIX SEMICONDUCTOR INC. 发明人 KIM, HYEON CHEOL;JANG, HYEON SU;LEE, SEONG GWON
分类号 H01L29/786;(IPC1-7):H01L29/786 主分类号 H01L29/786
代理机构 代理人
主权项
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