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发明名称 Fin field effect transistors and methods of formiing the same
摘要
申请公布号 KR100487566(B1) 申请公布日期 2005.05.03
申请号 KR20030050569 申请日期 2003.07.23
申请人 发明人
分类号 H01L21/336;H01L29/745;H01L29/76;H01L29/78;H01L29/786;(IPC1-7):H01L21/336 主分类号 H01L21/336
代理机构 代理人
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