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发明名称 PROGRAMMING METHOD OF A NONVOLATILE MEMORY DEVICE INCLUDING AN OXIDE LAYER AS A CHARGE STORAGE LAYER
摘要
申请公布号 KR20050040054(A) 申请公布日期 2005.05.03
申请号 KR20030075186 申请日期 2003.10.27
申请人 SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. 发明人 BAE, GEUM JONG;KIM, KI CHUL;KOH, KWANG WOOK
分类号 H01L27/115;(IPC1-7):H01L27/115 主分类号 H01L27/115
代理机构 代理人
主权项
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