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发明名称 Nickel salicide process and method of fabricating a MOS transistor using the same
摘要
申请公布号 KR100487655(B1) 申请公布日期 2005.05.03
申请号 KR20030024126 申请日期 2003.04.16
申请人 发明人
分类号 H01L21/24;(IPC1-7):H01L21/24 主分类号 H01L21/24
代理机构 代理人
主权项
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