| 摘要 |
本发明揭示一种具有优于传统P–FET头交换之改进性能(例如，较少泄漏电流、较低开启电阻及较小区域)之N–FET头交换。该N–FET头交换包括至少一N–FET器件并耦合于一电源供应与一负载电路之间，该负载电路可为(例如)一微处理器、一数位信号处理器或一记忆体单元。该头交换在致动该头交换时将该电源供应耦合至该负载电路，而在停用该头交换时从该负载电路切断该电源供应。一充电帮浦耦合至该头交换并提供一控制信号。当致动该头交换时，此控制信号系足够高以确保该N–FET器件在一线性区域中操作并具有一小的汲极至源极电压降。该头交换可作为一电源交换或以一回授组态操作以实施一线性或一数位电压调整器。 |
