发明名称 延迟闭锁路及其时脉产生方法
摘要 一种用于校正一时脉信号之一责务时半导体记忆装置,包括:一第一时脉缓冲器,透过该第一时脉缓冲器之一非反相端接收一外部时脉信号、以及透过该第一时脉缓冲器之一反相端接收一外部时脉限制信号,藉以输出一第一时脉输入信号;一第二时脉缓冲器,透过该第一时脉缓冲器之该非反相端接收该外部时脉限制信号、以及透过该第一时脉缓冲器之该反相端接收该外部时脉信号,藉以输出一第二时脉输入信号;以及一延迟闭锁回路(DLL),接收该第一时脉输入信号和该第二时脉输入信号,藉以产生一责务校正时脉信号。
申请公布号 TW200515709 申请公布日期 2005.05.01
申请号 TW093118723 申请日期 2004.06.28
申请人 海力士半导体股份有限公司 发明人 郭锺太
分类号 H03L7/06 主分类号 H03L7/06
代理机构 代理人 何金涂;林荣琳
主权项
地址 韩国