III族氮化物结晶、其制造方法及制造III族氮化物结晶之设备GROUP III NITRIDE CRYSTAL, METHOD OF ITS MANUFACTURE, AND EQUIPMENT FOR MANUFACTURING GROUP III NITRIDE CRYSTAL

摘要

本发明提供其结晶生长速率扩大之III族氮化物结晶、其制造方法及制造III族氮化物结晶之设备。该制造方法包含：在反应器(21)中于晶种(2)周围形成至少含III族元素及触媒之熔融物之熔融物(1)之熔融物形成步骤；及对该熔融物(1)供应含氮物质(3)而使III族氮化物结晶(4)生长于该晶种(2)上之结晶生长步骤；其特征在于该结晶生长步骤中温度经控制，使得熔融物(1)之温度自该熔融物(1)与含氮物质(3)间之介面(13)朝该熔融物(1)与该晶种(2)间之介面(12)或朝该熔融物(1)与已生长于该晶种(2)上之该III族氮化物结晶(4)间之介面(14)递减。