多晶片接合结构及晶片间接合方法

摘要

一种晶片间接合方法。首先系提供一第一晶片，包括一第一保护层及多个第一接垫。第一保护层具有多个开口，暴露第一接垫。接着形成多条厚线路于第一保护层上。之后形成多个凸垫于厚线路上。另外，提供一第二晶片，第二晶片具有多个第二接垫。之后形成多个凸块于第二接垫上。最后进行一热处理制程，使第一晶片透过由凸垫与凸块所形成的多个接合焊点连接第二晶片。厚线路的厚度例如大于1.8微米。或者，厚线路系由厚度大于1微米之金层所构成。