| 主权项 |
1.一种能降低外界光线反射之有机发光二极体之制作方法,该方法至少包含下列步骤:提供一基板;形成一金属反射层于该基板上;形成一透明阳极电极于该金属反射层上;形成一有机层于该透明阳极电极上;形成一半透明电子注入阴极层于该有机层上;形成一缓冲层于该半透明电子注入阴极层上;以及形成一透明电极于该缓冲层上;其中,藉由调整该有机层及该透明阳极电极的厚度,使得来自外界的入射光照射至该半透明电子注入阴极层反射之第一反射光,与照射至该金属反射层反射的第二反射光,两者产生180度的相位差,并造成破坏性干涉,进而降低外界光的反射,提升有机发光二极体的对比。2.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之缓冲层系具有保护的功能,用以在进行溅镀(sputtering)该透明电极时保护该有机层。3.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之半透明电子注入阴极层之厚度约为0.5~5nm。4.一种能降低外界光线反射之有机发光二极体之制作方法,该方法至少包含下列步骤:提供一基板;形成一金属阳极于该基板上;形成一有机层于该金属阳极上;形成一半透明电子注入阴极层于该有机层上;形成一缓冲层于该半透明电子注入阴极层上;以及形成一透明电极于该缓冲层上;其中,藉由调整该有机层及该透明阳极电极的厚度,使得来自外界的入射光照射至该半透明电子注入阴极层反射之第一反射光,与照射至该金属反射层反射的第二反射光,两者产生180度的相位差,并造成破坏性干涉,进而降低外界光的反射,提升有机发光二极体的对比。5.如申请专利范围第4项之方法,其中上述之缓冲层系具有保护的功能,用以在进行溅镀(sputtering)该透明电极时保护该有机层。6.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之半透明电子注入阴极层之厚度约为0.5~5nm。7.一种能降低外界光线反射之有机发光二极体结构,该结构至少包含:一基板;一金属反射层,系形成于该基板上;一透明阳极电极,系形成于该金属反射层上;一有机层,系制作于该透明阳极电极上;一半透明电子注入阴极层,系形成于该有机层上;一缓冲层,系制作于该半透明电子注入阴极层上,具有保护该有机层的功能;以及一透明电极,系形成于该缓冲层上;其中,藉由调整该有机层及该透明阳极电极的厚度,使得来自外界的入射光照射至该半透明电子注入阴极层反射之第一反射光,与照射至该金属反射层反射的第二反射光,两者产生180度的相位差,并造成破坏性干涉,进而降低外界光的反射,提升有机发光二极体的对比。8.如申请专利范围第7项之有机发光二极体结构,其中上述之半透明电子注入阴极层之厚度约为0.5~5nm。图式简单说明:第一图为底部发光方式之有机发光二极体元件基本结构;第二图为习知技术之底部发光式有机发光二极体元件的基本结构;第三图为根据本发明第一实施例形成金属反射层的基板截面图;第四图为根据本发明第一实施例之有机发光二极体元件的基本结构;第五图为根据本发明第二实施例形成金属阳极的基板截面图;以及第六图为根据本发明第二实施例之有机发光二极体元件的基本结构。 |
