| 主权项 |
1.一种多层布线间之空洞形成方法,其包含:一步骤为以含有至少一重复单元为选自由以下通式(1)至(7)所表示之重复单元之环烯烃基础加成聚合物涂覆形成于半导体基板之第一介电膜表面:通式(1)其中A1至A4各独立地代表氢原子、卤素原子、具1至10个碳原子之烃基团或具1至10个碳原子之卤化烃基团;且m为0或1,通式(2)其中A1至A4及m与式(1)中所定义者相同,通式(3)其中B1至B4各独立地代表氢原子、卤素原子、具1至10个碳原子之烃基团、具1至10个碳原子之卤化的烃基团、可水解的矽烷基基团或以-(CH2)kX表示之极性基团;B1至B4中至少之一代表可水解的矽烷基基团或以-(CH2)kX表示之极性基团;X代表-C(O)OR21或-OC(O)R22;R21及R22各代表氢、具1至10个碳原子之烃基团或具1至10个碳原子之卤化的烃基团;k代表整数0至3;B1至B4为由B1与B3或B2与B4形成之烃环或杂环结构或亚烷基、醯亚胺或由B1与B2或B3与B4形成之羰酸酐;且p代表整数0至2,通式(4)其中R1至R14各独立地代表氢原子、卤素原子、具1至10个碳原子之烃基团或具1至10个碳原子之卤化烃基团,通式(5)其中R1至R12各独立地代表氢原子、卤素原子、具1至10个碳原子之烃基团或具1至10个碳原子之卤化烃基团,通式(6)其中R1至R16各独立地代表氢原子、卤素原子、具1至10个碳原子之烃基团或具1至10个碳原子之卤化烃基团,及通式(7)其中R1至R20各独立地代表氢原子、卤素原子、具1至10个碳原子之烃基团或具1至10个碳原子之卤化烃基团,一步骤为图案化该环烯烃基础加成聚合物为空洞形成聚合物,一步骤为形成金属布线于形成在该空洞形成聚合物上之图案中,一步骤为形成第二介电膜于含有金属布线之该空洞形成聚合物上,及一步骤为藉加热移除多层布线间之该空洞形成聚合物,俾于该金属布线间形成空洞。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该环烯烃基础加成聚合物含有20莫耳%或更多以通式(1)及/或通式(2)表示之重复单元。3.如申请专利范围第1项之方法,其中该环烯烃基础加成聚合物含有50莫耳%或更多以通式(3)表示之重复单元。4.如申请专利范围第1项之方法,其中该环烯烃基础加成聚合物含有由以下通式(8)或(9)表示之基团作为该可水解基团:通式(8)通式(9)-(CR23R24)n-SiR26R27R28其中R23、R24及R25各独立地代表氢原子、具1至6个碳原子之烷基基团、具3至6个碳原子之环烷基基团或具4至6个碳原子之芳基基团;R26、R27及R28各独立地代表氢原子、具1至6个碳原子之烷基基团、具3至6个碳原子之环烷基基团、具4至6个碳原子之芳基基团、具1至6个碳原子之烷氧基基团或具4至6个碳原子之芳氧基基团或卤素原子;n代表整数0至5;且Y代表具2至26个碳原子之脂族二醇、脂环族二醇或芳族二醇的烃残基。5.如申请专利范围第1项之方法,其中该环烯烃基础加成聚合物当在惰性气压及/或真空气压中在350℃加热1小时后具重量损失为5重量%或更少,且当在惰性气压及/或真空气压中在500℃加热1小时后具重量损失为80重量%或更多。6.如申请专利范围第1、2、3或4项之方法,其中该环烯烃基础加成聚合物具玻璃转变温度为300℃或更高。7.如申请专利范围第1项之方法,其中该环烯烃基础加成聚合物在25℃时具弹性模量为3GPa或更多。图式简单说明:图1A~1E为显示根据本发明一种金属布线间形成空洞之方法之流程图。 |
