| 主权项 |
1.一种微粒化之氧化物阴极之制法,该制法系利用奈米研磨技术,将用以制造氧化物阴极之至少一阴极材料,进行微粒化研磨,令该阴极材料颗粒之平均粒径被研磨至0.09~1m(D50)左右后,再将该微粒化之阴极材料涂布至一阴极基材之表面,并在真空中利用一发热元件对该阴极基材进行加热,制作而成该氧化物阴极。2.如申请专利范围第1项所述之制法,其中该微粒化之阴极材料可为含碳酸盐之阴极材料。3.如申请专利范围第2项所述之制法,其中该微粒化之阴极材料颗粒之粒径差为0.25~0.55m(D95-D5=0.25~0.55m)。4.如申请专利范围第3项所述之制法,其中该微粒化之阴极材料颗粒中呈实体颗粒者维持在约25~55%左右。5.如申请专利范围第4项所述之制法,其中该制法尚包括将该微粒化之阴极材料掺杂入传统平均粒径大于1.7m之阴极材料中,以形成一掺杂粒径之阴极材料,嗣,再将该掺杂粒径之阴极材料涂布至该微粒化阴极材料之表面,并在真空中利用该发热元件对该阴极基材进行加热,制作而成该氧化物阴极。6.一种微粒化之氧化物阴极之制法,该制法系利用奈米研磨技术,将用以制造氧化物阴极之至少一阴极材料,进行微粒化研磨,令该阴极材料颗粒之平均粒径被研磨至0.09~1m(D50)左右后,将其掺杂入传统平均粒径大于1.7m之阴极材料中,以形成一掺杂粒径之阴极材料,嗣,再将该掺杂粒径之阴极材料涂布至该阴极基材之表面,并在真空中利用该发热元件对该阴极基材进行加热,制作而成该氧化物阴极。7.如申请专利范围第6项所述之制法,其中各该阴极材料可为含碳酸盐之阴极材料。8.如申请专利范围第7项所述之制法,其中该微粒化之阴极材料颗粒之粒径差为0.25~0.55m(D95-D5=0.25~0.55m)。9.如申请专利范围第8项所述之制法,其中该微粒化之阴极材料颗粒中呈实体颗粒者维持在约25~55%左右。10.如申请专利范围第9项所述之制法,其中该制法尚包括将该微粒化之阴极材料涂布至该掺杂粒径之阴极材料之表面,并在真空中利用该发热元件对该阴极基材进行加热,制作而成该氧化物阴极。11.一种微粒化之氧化物阴极之制法,该制法系先在该阴极基材之表面涂布一层传统平均粒径大于1.7m之阴极材料,再将利用奈米研磨技术,进行微粒化研磨,且平均粒径为0.09~1m(D50)左右之至少一微粒化之阴极材料,涂布至该传统阴极材料之表面,并在真空中利用该发热元件对该阴极基材进行加热,制作而成该氧化物阴极。12.如申请专利范围第11项所述之制法,其中各该阴极材料可为含碳酸盐之阴极材料。13.如申请专利范围第12项所述之制法,其中该微粒化之阴极材料颗粒之粒径差为0.25~0.55m(D95~D5=0.25~0.55m)。14.如申请专利范围第13项所述之制法,其中该微粒化之阴极材料颗粒中呈实体颗粒者维持在约25~55%左右。15.一种微粒化之氧化物阴极之制法,该制法系先在该阴极基材之表面涂布一层传统平均粒径大于1.7m之阴极材料,再将利用奈米研磨技术,进行微粒化研磨,且平均粒径为0.09~1m(D50)左右之至少一微粒化之阴极材料,掺杂入该传统阴极材料中,以形成一掺杂粒径之阴极材料,嗣,再将该掺杂粒径之阴极材料涂布至该传统阴极材料之表面,并在真空中利用该发热元件对该阴极基材进行加热,制作而成该氧化物阴极。16.如申请专利范围第15项所述之制法,其中各该阴极材料可为含碳酸盐之阴极材料。17.如申请专利范围第16项所述之制法,其中该微粒化之阴极材料颗粒之粒径差为0.25~0.55m(D95~D5=0.25~0.55m)。18.如申请专利范围第17项所述之制法,其中该微粒化之阴极材料颗粒中呈实体颗粒者维持在约25~55%左右。图式简单说明:第1图系传统阴极之结构示意图;第2图系传统阴极材料颗粒之实测粒径分布示意图;第3(a)及3(b)图系小颗粒粒径与大颗粒粒径之阴极材料之排气效果之示意图;第4图系本发明之一较佳实施例中,经奈米研磨技术研磨后之阴极材料之实测粒径分布示意图;第5(a)及5(b)图系研磨前及研磨后之阴极材料喷涂至阴极基材表面后之阴极表面之平坦度外观照片;第6图系本发明在制作氧化物阴极时之结构示意图;第7(a)~7(d)图系本发明之其它实施例中各氧化物阴极之结构示意图;第8(a)~8(e)图系本发明之又其它实施例中各氧化物阴极之结构示意图;第9(a)~9(c)图系本发明对封入第二组试验用阴极(即hn=35m)之一15寸彩色阴极射线管进行CC检测后所得之R、G、B等三枪之检测图;第10(a)~10(c)图系本发明对封入第三组试验用阴极(即hr=70m)之一15寸彩色阴极射线管进行CC检测后所得之R、G、B等三枪之检测图;第11图系本发明对第二组试验用阴极(即hn=35m)进行热应变检测所得之曲线图。 |
