发明名称 MOS TRANSISTOR
摘要
申请公布号 KR20050039078(A) 申请公布日期 2005.04.29
申请号 KR20030074440 申请日期 2003.10.23
申请人 DONGBUANAM SEMICONDUCTOR INC. 发明人 JUNG, JIN HYO
分类号 H01L29/78;(IPC1-7):H01L29/78 主分类号 H01L29/78
代理机构 代理人
主权项
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