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发明名称
Phase-change memory device having self-heater structure
摘要
申请公布号
KR100486306(B1)
申请公布日期
2005.04.29
申请号
KR20030011356
申请日期
2003.02.24
申请人
发明人
分类号
H01L27/10;H01L45/00;(IPC1-7):H01L27/10
主分类号
H01L27/10
代理机构
代理人
主权项
地址
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