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发明名称 MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
摘要
申请公布号 KR20050039233(A) 申请公布日期 2005.04.29
申请号 KR20030074663 申请日期 2003.10.24
申请人 SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. 发明人 KIM, TAE WAN;LEE, JANG EUN;PARK, SANG JIN;PARK, WAN JUN
分类号 H01L27/105;G11C11/15;H01L21/8246;H01L27/115;H01L43/08;(IPC1-7):H01L27/115 主分类号 H01L27/105
代理机构 代理人
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