发明名称 |
Verfahren zur Reduzierung eines Überdeckungsfehlers sowie Meßmarke zur Durchführung des Verfahrens |
摘要 |
Ein Verfahren zur Reduzierung eines Überdeckungsfehlers von Strukturen (24a) einer aktuell zu strukturierenden Schicht (25) relativ solchen einer Referenzschicht (26) sieht vor, neben der Bildung von einander in beiden Schichten zugeordneten Standard-Meßmarken (1, 2) zur Bestimmung eines Überdeckungsfehlers weitere Meßmarken (3) zur Bestimmung eines zusätzlichen optischen Abbildungsfehlers des Projektionssystems wenigstens in der aktuellen Schicht (25) einzurichten. Die weiteren Meßmarken (3) besitzen eine Geometrie, welche an die jene Geometrie ausgewählter Strukturen (24a) der mittels Projektion von Masken (7) auf Halbleitersubstrate (9) zu übertragenden Schaltkreismuster (24) angepaßt ist. Ein Abbildungsfehler wirkt sich dadurch in gleicher Weise auf Schaltkreisstrukturen (24a) und weitere Meßmarken (3) aus. Eine Justagekorrektur für eine folgende Belichtung kann aus den gemessenen Lageabweichungen zwischen den beiden Standard-Meßmarken (1, 2) und zwischen der Standard-Meßmarke (2) und der weiteren Meßmarke (3) der aktuell zu strukturierenden Schicht (25), vorzugsweise einer Photoresistschicht, berechnet werden.
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申请公布号 |
DE10359200(A1) |
申请公布日期 |
2005.04.28 |
申请号 |
DE2003159200 |
申请日期 |
2003.12.17 |
申请人 |
INFINEON TECHNOLOGIES AG |
发明人 |
HOFMANN, DETLEF;HENNIG, MARIO;THIELSCHER, GUIDO;GRUSS, STEFAN;PFORR, RAINER;FROEHLICH, HANS-GEORG |
分类号 |
H01L23/544;(IPC1-7):G03F9/00;G03F7/20 |
主分类号 |
H01L23/544 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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