Verfahren zur Erfassung von Plazierungsfehlern von Schaltungsmustern bei der Übertragung mittels einer Maske in Schichten eines Substrats eines Halbleiterwafers

摘要

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Erfassung von Plazierungsfehlern von Schaltungsmustern (10, 20) bei der Übertragung mittels einer Maske in Schichten eines Substrats eines Halbleiterwafers. Nach dem Übertragen wenigstens einer Mehrfachanordnung einer ersten Teststruktur mittels photolithographischer Projektion in wenigstens eine Resistschicht über dem Substrat, wobei die erste Teststruktur ein erstes Schaltungsmuster, wenigstens eine erste Overlay-Marke (12) und wenigstens eine erste mikrostrukturierte Justiermarke (14) aufweist, werden die Werte eines ersten Plazierungsfehlers der ersten Schaltungsmuster relativ zu den ersten Overlay-Marken (12) und den ersten mikrostrukturierten Justiermarken (14) für jedes Element der wenigstens einen Mehrfachanordnung bestimmt.