非易失性存储装置的制造方法

摘要

公开了一种非易失性存储装置的制造方法，通过在单元区域里形成沟槽和在沟槽里形成凹形的浮动栅，可以增加耦合率并且可以避免影响控制栅的高度。所述方法包括：在外围电路区域的硅衬底上形成具有第一深度的第一沟槽，用埋入氧化膜来填埋它，并将它平面化；在单元区域的硅衬底上形成具有第二深度的第二沟槽；对单元区域进行沟道离子注入，在第二沟槽中形成隧道氧化膜且沉积浮动栅材料；通过蚀刻浮动栅材料形成浮动栅；在单元区域形成源极/漏极连接；在外围电路和单元区域里形成阱且沉积电介质膜；沉积栅极材料，同时仅仅在单元区域的沟道部分中留下电介质膜；及通过蚀刻栅极材料，在外围电路区域中形成栅极并在单元区域中形成控制栅。

主权项

1.一种非易失性存储装置的制造方法，由以下步骤组成：在外围电路区域的硅衬底上形成具有第一深度的第一沟槽，用埋入氧化膜来填埋第一沟槽并将其平面化；在所述单元区域的所述硅衬底上形成具有第二深度的第二沟槽；对所述单元区域执行沟道离子注入，在所述第二沟槽中形成隧道氧化膜并且沉积浮动栅材料；通过蚀刻所述浮动栅材料来形成浮动栅；在所述单元区域中形成源极/漏极连接；在所述外围电路和所述单元区域中形成阱并且沉积电介质膜；沉积栅极材料，同时仅仅在所述单元区域的所述沟道部分中留下电介质膜；且通过蚀刻所述栅极材料，在所述外围电路区域形成栅极并在所述单元区域里形成控制栅。