发明名称 | 一种生长立方织构氧化镍隔离层的方法 | ||
摘要 | 本发明公开了一种生长立方织构氧化镍隔离层的方法。它主要为采用一种简单的操作手段,在立方织构金属镍表面,通过氧化外延生长立方织构氧化镍隔离层。其方法是将具有高度立方织构金属镍片经清洁处理,将其置于1100-1250℃高温炉中,空气环境氧化3-30分钟。在立方织构金属镍表面获得具有高度立方织构的氧化镍层。它主要用于高温超导涂层导体隔离层。 | ||
申请公布号 | CN1609006A | 申请公布日期 | 2005.04.27 |
申请号 | CN200310101681.2 | 申请日期 | 2003.10.24 |
申请人 | 北京有色金属研究总院 | 发明人 | 杨坚;刘慧舟;古宏伟 |
分类号 | C01G53/04;H01L39/00 | 主分类号 | C01G53/04 |
代理机构 | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 | 代理人 | 程凤儒 |
主权项 | 1.一种生长立方织构氧化镍隔离层的方法,其特征在于:该方法包括下述步骤:(1)将具有高度立方织构的金属镍片进行清洁处理,表面不留水迹、污渍;(2)清洗后的金属镍片置于1100-1250℃高温炉中,空气环境恒温2-30分钟;(3)出炉冷却至室温。 | ||
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