| 发明名称 | 一种双栅金属氧化物半导体晶体管的结构及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种双栅金属氧化物半导体晶体管的结构及其制备方法，其结构包括底部栅电极、底部栅介质层、顶部栅电极、顶部栅介质层、源区、漏区以及沟道区，其中底栅比顶栅宽，沟道区为单晶半导体薄膜。本发明的双栅金属氧化物半导体晶体管结构，较长的底栅用于克服短沟道效应，而尽量小的顶栅目的是为了提高速度，有源区制备在大面积高质量单晶半导体薄膜上，可提高速度，降低功耗。该双栅结构的制备方法是，在制备好底栅(包括栅电极和栅介质层)之后将单晶半导体薄膜转移至底栅上部，在高质量的单晶半导体薄膜上制备晶体管的有源区，然后制备顶部栅介质层和栅电极，形成高性能的双栅金属氧化物半导体晶体管。 | ||
| 申请公布号 | CN1610127A | 申请公布日期 | 2005.04.27 |
| 申请号 | CN200410067219.X | 申请日期 | 2004.10.15 |
| 申请人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明人 | 刘卫丽;宋志棠;封松林;陈邦明 |
| 分类号 | H01L29/78;H01L21/336 | 主分类号 | H01L29/78 |
| 代理机构 | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人 | 潘振甦 |
| 主权项 | 1、一种双栅金属氧化物半导体晶体管的结构，其特征在于它由底部栅电极、底部栅介质层、顶部栅电极、顶部栅介质层、源区、漏区以及沟道区构成；底栅比顶栅宽，沟道区为半导体薄膜，有源区在单晶半导体薄膜上。 | ||
| 地址 | 200050上海市长宁区长宁路865号 | ||