发明名称 |
在光刻装置中的反射镜应用顶层,用于光刻装置中的反射镜,包括这种反射镜的光刻装置以及器件制造方法 |
摘要 |
在用于光刻装置的反射镜上预定金属顶层(8)的应用,用于光刻装置的反射镜,以及具有这样反射镜或者设置了具有这样应用的顶层的反射镜的光刻装置。该装置具有提供所需波长例如EUV辐射的源(SO)。该源(SO)产生不希望有的金属颗粒流,它们在反射镜上沉积而形成较小和较大的核。顶层(8)可以与该金属沉积物的核在预定温度范围内相互扩散。因而,形成了由该金属颗粒和该顶层(8)的金属构成的一个额外合金层(14),它具有的反射率比仅仅包括该金属颗粒的层所具有的更高。 |
申请公布号 |
CN1609715A |
申请公布日期 |
2005.04.27 |
申请号 |
CN200410095148.4 |
申请日期 |
2004.10.19 |
申请人 |
ASML荷兰有限公司 |
发明人 |
L·P·巴克;F·J·P·舒尔曼斯 |
分类号 |
G03F7/20;H01L21/00 |
主分类号 |
G03F7/20 |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 |
代理人 |
肖春京;黄力行 |
主权项 |
1.在包括一个提供所需波长的辐射的源(SO)的光刻装置的反射镜上应用预定金属顶层(8),以减少由所述源在操作中产生的不希望有的金属颗粒流在所述反射镜上形成金属沉积物,选择该预定金属,使得当所述光刻装置在操作时该预定金属在预定的温度范围内和所述的金属沉积物相互扩散。 |
地址 |
荷兰维尔德霍芬 |