| 发明名称 | 利用快速热退火与氧化气体形成底部抗反射涂层的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种方法，该方法包含于基板层(105)上形成栅极介电层(110，410)，以及于栅极介电层(110，410)上形成栅极导体层(115，415)。该方法亦包括于栅极导体层(115，415)上形成无机底部抗反射涂覆层(120)，以及于进行快速热退火处理期间以氧化处理法(130)处理无机底部抗反射涂覆层(120)。 | ||
| 申请公布号 | CN1199240C | 申请公布日期 | 2005.04.27 |
| 申请号 | CN01809904.1 | 申请日期 | 2001.05.09 |
| 申请人 | 先进微装置公司 | 发明人 | A·D·斯蒂芬;M·E·埃克斯特坎普;J·多恩 |
| 分类号 | H01L21/027 | 主分类号 | H01L21/027 |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 戈泊;程伟 |
| 主权项 | 1.一种方法，包括：于基板层(105)上形成一栅极介电层(110，410)；于该栅极介电层(110，410)上形成一栅极导体层(115，415)；于该栅极导体层(115，415)上形成一无机底部抗反射涂覆层(120)；以及以氧化处理法(130)处理该无机底部抗反射涂覆层(120)；此方法的特征在于：于快速热退火处理期间进行氧化处理。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||