发明名称 半导体装置的制造方法
摘要 本发明提供了一种低成本、容易维修的半导体装置的制造方法。它包括这样一道工序:令含有用流体加工半导体的过程中产生的加工切屑的所述流体通过含有至少一部分所述加工切屑的过滤层,从而除去所述加工切屑,所述加工半导体的工序是利用流体对所述半导体进行研磨和/或切削的工序。
申请公布号 CN1199243C 申请公布日期 2005.04.27
申请号 CN00117915.2 申请日期 2000.05.27
申请人 三洋电机株式会社 发明人 对比地元幸;饭沼宏文
分类号 H01L21/304;B01D29/00;B01D33/00 主分类号 H01L21/304
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 叶恺东
主权项 1.半导体装置的一种制造方法,其特征在于,它包括这样一道除去工序:令含有用流体的半导体加工工序中产生的加工切屑的所述流体通过含有至少一部分所述加工切屑的过滤层,从而除去所述加工切屑。
地址 日本大阪府
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