| 发明名称 | 可避免短路的自行对准金属硅化物制程的处理方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种可避免短路的自行对准金属硅化物制程的处理方法，可应用于一半导体结构上，包含半导体结构的表面，该表面具有一导电区域与一绝缘区域，并在其中形成一保护结构，例如布植硅或锗，或是沉积一钛薄层，以避免自然氧化层的形成，之后再在所述导电区域上形成一金属硅化物。 | ||
| 申请公布号 | CN1610077A | 申请公布日期 | 2005.04.27 |
| 申请号 | CN200310108056.0 | 申请日期 | 2003.10.21 |
| 申请人 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 金平中;张有志 |
| 分类号 | H01L21/3205;H01L21/02 | 主分类号 | H01L21/3205 |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所 | 代理人 | 余明伟 |
| 主权项 | 1、一种可避免短路的自行对准金属硅化物制程的处理方法，其应用于一半导体结构上，其特征在于，该处理方法包括：提供所述半导体结构的一表面，该表面具有一导电区域与一绝缘区域；在所述导电区域与所述绝缘区域中形成一保护结构，以避免自然氧化层的形成；及在所述导电区域上形成一金属硅化物。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江高科技园区郭守敬路818号 | ||