一种三维多层平面互补金属氧化物半导体器件结构及其制备方法

摘要

本发明涉及一种三维互补金属氧化物半导体器件(CMOS)结构及其制备方法。结构上特征是PMOS和NMOS处在不同的平面上，但在同一平面上仍是传统的平面MOS晶体管，是一种CMOS结构。先在体硅或SOI衬底上制备PMOS或NMOS，然后利用化学机械抛光、低温键合和低温剥离工艺在器件层上制备另一层SOI结构，在第二层的SOI结构上制备NMOS或PMOS。如此反复，形成多层MOS结构。NMOS与PMOS之间用层间连线相联，形成三维CMOS结构。采用常规的MOS工艺实现高密度器件集成，工艺方法简单，在同样CMOS数量的情况下，可减少光刻次数，减小器件单元面积，并可以减少金属互联线的数目，提高器件的速度。

主权项

1.一种三维多层平面互补金属氧化物半导体器件结构，其特征在于N沟道金属氧化物半导体晶体管和P沟道金属氧化物半导体晶体管呈楼层式结构，同一楼层上的晶体管为同一种类型的金属氧化物半导体晶体管，N沟道金属氧化物半导体晶体管和P沟道金属氧化物半导体晶体管之间由层间金属连线连接。