| 发明名称 | 半导体元件 | ||
| 摘要 | 在制造液晶显示元件及半导体元件时利用铝合金薄膜作为电极层的情况下，提供一种即使没有所谓的覆盖层也能够实现优异的低电阻欧姆接触特性的半导体元件。在具有基板、在该基板上形成的半导体层、以及构成布线或电极的电极层的半导体元件中，具有半导体层与电极层直接接合的部分，该电极层用含有镍、钴、铁等过渡金属的铝合金薄膜形成。 | ||
| 申请公布号 | CN1610064A | 申请公布日期 | 2005.04.27 |
| 申请号 | CN200410043478.9 | 申请日期 | 2004.05.13 |
| 申请人 | 三井金属鉱业株式会社 | 发明人 | 池田真;久保田高史 |
| 分类号 | H01L21/28;H01L21/768;H01L21/3205;G02F1/1343;G02F1/1368 | 主分类号 | H01L21/28 |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 包于俊 |
| 主权项 | 1.一种半导体元件，具有基板、在该基板上形成的半导体层、以及构成布线或电极的电极层，其特征在于，具有半导体层与电极层直接接合的部分，该电极层用含有过渡金属的铝合金薄膜形成。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||