半导体存储器

摘要

一种半导体存储器，包括：具有若干存储单元的单元阵列；在所述单元阵列内，各自被定义为沿第一方向排列的一组存储单元并且具有用于存储单元选择的第一选择线的若干第一标准元件；在所述单元阵列内，各自被定义为沿第二方向排列的一组存储单元并且具有用于存储单元选择的第二选择线的若干第二标准元件，每个所述第二标准元件选择操作上与对应的一个所述第一标准元件相关的一个或多个存储单元；用于替换所述单元阵列内的缺陷第一标准元件的若干第一冗余元件；用于替换所述单元阵列内的缺陷第二标准元件的若干第二冗余元件；在所述单元阵列内，各自被定义为允许用每个所述第一冗余元件来替换的一组第一标准元件的第一修复区；和在所述单元阵列内，各自被定义为允许用每个所述第二冗余元件来替换的一组第二标准元件的第二修复区，其中：所述若干第一标准元件中的至少两个第一标准元件被同时激活，相互独立地控制是否用所述第一冗余元件来替换如此被同时激活的至少两个第一标准元件中的每一个，以及修复在包括所述被同时激活的至少两个第一标准元件之一的一个所述第一修复区内具有缺陷的第二标准元件的至少一个所述第二冗余元件不和所述同时激活的至少两个第一标准元件的所述一个相交。

主权项

1、一种半导体存储器，包括：具有若干存储单元的单元阵列；在所述单元阵列内，各自被定义为沿第一方向排列的一组存储单元并且具有用于存储单元选择的第一选择线的若干第一标准元件；在所述单元阵列内，各自被定义为沿第二方向排列的一组存储单元并且具有用于存储单元选择的第二选择线的若干第二标准元件，每个所述第二标准元件选择在操作上与对应的一个所述第一标准元件相关的一个或多个存储单元；用于替换所述单元阵列内的缺陷第一标准元件的若干第一冗余元件；用于替换所述单元阵列内的缺陷第二标准元件的若干第二冗余元件；在所述单元阵列内，各自被定义为允许用每个所述第一冗余元件来替换的一组第一标准元件的第一修复区；和在所述单元阵列内，各自被定义为允许用每个所述第二冗余元件来替换的一组第二标准元件的第二修复区，其中：所述若干第一标准元件中的至少两个第一标准元件被同时激活，相互独立地控制是否用所述第一冗余元件来替换如此被同时激活的至少两个第一标准元件中的每一个，以及修复在包括所述被同时激活的至少两个第一标准元件之一的一个所述第一修复区内具有缺陷的第二标准元件的至少一个所述第二冗余元件不和所述被同时激活的至少两个第一标准元件的所述一个相交。