| 发明名称 | 硬掩模的后等离子清洁处理 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种制造一半导体装置的方法，其包含：通过一位于一半导体基片225上方的图案化硬掩模层210进行等离子蚀刻250，其中该等离子蚀刻在该硬掩模层210上形成一修改层210a；并通过将该修改层210a曝露于一后等离子清洁处理来移除该修改层210a的至少一实质部分。 | ||
| 申请公布号 | CN1610059A | 申请公布日期 | 2005.04.27 |
| 申请号 | CN200410083879.7 | 申请日期 | 2004.10.21 |
| 申请人 | 德州仪器公司 | 发明人 | 布赖恩·K·柯克帕特里克;克林特·L·蒙哥马利;布赖恩·M·特伦特曼;兰德尔·W·柏 |
| 分类号 | H01L21/027;H01L21/82;H01L21/762 | 主分类号 | H01L21/027 |
| 代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 王允方;刘国伟 |
| 主权项 | 1.一种制造一半导体装置的方法，其包括：通过一位于一半导体基片上方的图案化硬掩模层进行等离子蚀刻，其中所述的等离子蚀刻在所述的硬掩模层上形成一修改层；和通过将所述的修改层曝露于一后等离子清洁处理来移除所述的修改层的至少一实质部分。 | ||
| 地址 | 美国得克萨斯州 | ||