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发明名称 MAGNETORESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY WITH SOFT MAGNETIC REFERENCE LAYER
摘要
申请公布号 EP1525584(A2) 申请公布日期 2005.04.27
申请号 EP20030771593 申请日期 2003.07.11
申请人 FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC. 发明人 ENGEL, BRADLEY, N.;JANESKY, JASON, ALLEN
分类号 G11C11/15;G11C11/16;H01L21/8246;H01L27/105;H01L43/08;(IPC1-7):G11C11/16 主分类号 G11C11/15
代理机构 代理人
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