发明名称 绝缘栅晶体管
摘要 绝缘门控晶体管包括第一半导体区、包括多个部分的第二半导体区、第三半导体区、第四半导体区、第一主电极和第二主电极,其中在第一主表面平面上经由绝缘层设置金属布线层,通过上述的主电极设置与第一主电极绝缘的多个区域,以及金属布线层通过绝缘层经由与主电极绝缘的区域与控制电极电连接。
申请公布号 CN1199283C 申请公布日期 2005.04.27
申请号 CN00101998.8 申请日期 2000.02.04
申请人 株式会社日立制作所;日立原町电子工业株式会社 发明人 内海智之;大关正一;须田晃一
分类号 H01L29/70;H01L29/78 主分类号 H01L29/70
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人 杜日新
主权项 1.一种绝缘栅晶体管,包括:第一导电类型的第一半导体区,具有主表面平面;第二导电类型的第二半导体区,包括从所述主表面平面延伸到所述第一半导体区内形成的多个部分,所述多个部分分别包括条状形状,所述多个部分在长度方向上对直并平行设置;第二导电类型的第三半导体区,包括从所述主表面平面延伸到所述第一半导体区内形成的多个部分;第一导电类型的第四半导体区,沿所述第二半导体区的长度方向,从所述主表面平面延伸到在所述第二半导体区中所述多个部分的每个部分而形成;第一绝缘层,在所述主表面平面上形成,横跨所述第一、第二和第四半导体区;控制电极,由多晶硅半导体构成,通过所述第一绝缘层横跨所述第一、第二和第四半导体区形成;第一主电极,与所述第二和第四半导体区电连接;和第二主电极,在所述主表面上与所述第三半导体区电连接;和第二绝缘层,在所述主表面上形成,横跨所述第一绝缘层、第一主电极和第二主电极,其中,在所述主表面平面上的第二绝缘层上形成有金属布线层,设在所述第一主电极之上,且在其长度方向的两端和中部区域穿过所述第二和第一绝缘层与所述控制电极电连接。
地址 日本东京