动态随机存取存储器制造方法及结构

摘要

本发明公开了一种具有沟渠式电容器的动态随机存取存储器(DRAM)的制造方法及结构。此DRAM制造方法是在通道区的邻接隔离区的部分形成掺杂型态与基底相同的掺杂区，此掺杂区是由一倾斜离子注入步骤所形成，且此倾斜离子注入步骤是在电容器沟渠形成之后及有源区定义之前进行，所述掺杂区穿过与通道区相邻的电容器沟渠的上段，以自行对准的方式注入基底中。

主权项

1.一种动态随机存取存储器制造方法，包括：在一基底上形成多个沟渠；在每一沟渠中形成一电容器；在所述基底上定义出多个有源区；在所述基底上形成多条字线；在每一有源区中形成二源/漏极区；以及在所述基底上形成多条位线；其中，在任一有源区的一第一侧边形成一第一沟渠，其中的电容器与该有源区耦接，且在相邻有源区的一第二侧边形成一第二沟渠，而该有源区与所述第二沟渠为一字线所经过，且该有源区中被所述字线覆盖的区域作为一通道区；使一有源区中的二源/漏极区分别与一电容器及一位线电性连接；并且在形成所述沟渠之后及定义所述有源区之前，还包括进行朝字线方向倾斜的离子注入步骤，以在所述基底中“即将形成所述有源区的所述通道区”的区域边缘形成一掺杂区，该掺杂区的掺杂型态与所述基底相同。