| 发明名称 | Cd<SUB>1+x</SUB>In<SUB>2－2x</SUB>Sn<SUB>x</SUB>O<SUB>4</SUB>/MgAl<SUB>2</SUB>O<SUB>4</SUB>复合衬底材料及其制备方法 | ||
| 摘要 | 一种Cd<SUB>1+x</SUB>In<SUB>2－2x</SUB>Sn<SUB>x</SUB>O<SUB>4</SUB>/MgAl<SUB>2</SUB>O<SUB>4</SUB>复合衬底材料及其制备方法，本发明的Cd<SUB>1+x</SUB>In<SUB>2－2x</SUB>Sn<SUB>x</SUB>O<SUB>4</SUB>/MgAl<SUB>2</SUB>O<SUB>4</SUB>复合衬底材料实际上是在MgAl<SUB>2</SUB>O<SUB>4</SUB>上设有一层Cd<SUB>1+x</SUB>In<SUB>2－2x</SUB>Sn<SUB>x</SUB>O<SUB>4</SUB>而构成，其制备方法主要是利用脉冲激光淀积方法在MgAl<SUB>2</SUB>O<SUB>4</SUB>单晶衬底上制备Cd<SUB>1+x</SUB>In<SUB>2－2x</SUB>Sn<SUB>x</SUB>O<SUB>4</SUB>薄膜，通过高温退火，在MgAl<SUB>2</SUB>O<SUB>4</SUB>单晶衬底上形成Cd<SUB>1+x</SUB>In<SUB>2－2x</SUB>Sn<SUB>x</SUB>O<SUB>4</SUB>单晶覆盖层。该方法的制备工艺简单，易操作，适用于基蓝光半导体外延生长。 | ||
| 申请公布号 | CN1610057A | 申请公布日期 | 2005.04.27 |
| 申请号 | CN200410067132.2 | 申请日期 | 2004.10.13 |
| 申请人 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 发明人 | 夏长泰;张俊刚;徐军;周国清;吴锋;彭观良 |
| 分类号 | H01L21/00;H01L33/00;H01S5/00 | 主分类号 | H01L21/00 |
| 代理机构 | 上海新天专利代理有限公司 | 代理人 | 张泽纯 |
| 主权项 | 1、一种Cd1+xIn2-2xSnxO4/MgAl2O4复合衬底材料，其特征是在MgAl2O4单晶上设有一层Cd1+xIn2-2xSnxO4，构成Cd1+xIn2-2xSnxO4/MgAl2O4复合衬底。 | ||
| 地址 | 201800上海市800－211邮政信箱 | ||