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发明名称 GAN-BASED RADIATION-EMITTING THIN-LAYERED SEMICONDUCTOR COMPONENT
摘要
申请公布号 EP1525625(A1) 申请公布日期 2005.04.27
申请号 EP20030787607 申请日期 2003.06.20
申请人 OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH 发明人 EISERT, DOMINIK;HAHN, BERTHOLD;HAERLE, VOLKER
分类号 H01L33/20;H01L33/32;(IPC1-7):H01L33/00 主分类号 H01L33/20
代理机构 代理人
主权项
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