半导体器件

摘要

半导体器件具备：有选择地形成在有源层表面的基极层；有选择地形成在基极层表面的源极层；在有源层表面上离开上述基极层有选择地形成的阳极层；形成在用基极层和阳极层夹着的区域表面的漏极层；形成在用基极层和漏极层夹着的区域的表面的电阻层；经过栅绝缘膜形成在用源极层和有源层夹着的区域的上述基极层上的栅电极，在基极层和源极层的表面上形成源电极，在漏极层和阳极层的表面上形成漏电极。

主权项

1.一种半导体器件，其特征在于具备：第1导电类型的有源层；形成在该有源层的一部分表面上的第2导电类型的基极层；相邻地形成在上述基极层的一部分表面上的第1导电类型的源极层和第2导电类型的扩散层；在上述有源层的上述一部分表面上和离开上述基极层形成的第2导电类型的阳极层；形成在由上述基极层和上述阳极层夹着的区域的表面上的第1导电类型的漏极层；形成在由上述基极层和上述漏极层夹着的区域的表面上的第1导电类型的电阻层；以及隔着栅绝缘膜而形成在由上述源极层和上述有源层夹着的区域的上述基极层上的栅电极，其中，源电极形成在上述扩散层和上述源极层的表面上，漏电极形成在上述漏极层和上述阳极层的表面上，上述阳极层的结深度比上述漏极层的结深度深。