| 发明名称 | 半导体装置制造中瑕疵聚集的检索方法及装置 | ||
| 摘要 | 一种半导体装置制造中的瑕疵聚集的检索方法，该方法包括：输入检索母体内存在的关于不完全实体的数据，计算每个分割检索母体的各单位单元的不完全实体的频率分布，对于频率分布，拟合两种以上的离散型分布函数，根据对频率分布的离散型分布函数的加权，检索聚集。发现制造过程或设计的异常后，可方便地进行改善半导体装置的生产率所用的定量聚集检索。 | ||
| 申请公布号 | CN1199235C | 申请公布日期 | 2005.04.27 |
| 申请号 | CN01125341.X | 申请日期 | 2001.08.21 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 光武邦宽;牛久幸广 |
| 分类号 | H01L21/00;G06F17/50 | 主分类号 | H01L21/00 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1.一种检索瑕疵聚集的方法，所述方法包括以下步骤：输入检索母体内存在的关于不完全实体的数据；计算每个分割所述检索母体的各单位单元的所述不完全实体的频率分布；对于所述频率分布，拟合两种以上的离散型分布函数；根据对所述频率分布的所述离散型分布函数的加权，检索聚集。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||