| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 提供一种半导体装置及其制造方法，本发明的半导体装置，备有在半导体基板上形成、具有第一凹部(15a)的绝缘膜(14)，在第一凹部(15a)的壁部和底部形成、具有第二凹部(15b)的电容下部电极(15)，由在第二凹部(15b)的壁部和底部形成、具有第三凹部(15c)的电容绝缘膜(17)，和被埋入在第三凹部(15c)的电容上部电极(18)。不依赖于电介质膜中用的材料和电容上部电极中用的材料，在原理上防止构成具有空间层叠结构的电容元件的电容上部电极的断线。 | ||
| 申请公布号 | CN1610117A | 申请公布日期 | 2005.04.27 |
| 申请号 | CN200410085029.0 | 申请日期 | 2004.10.13 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 三河巧;藤井英治 |
| 分类号 | H01L27/10;H01L21/822 | 主分类号 | H01L27/10 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汪惠民 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置，其特征在于其中备有：在半导体基板上形成、并具有第一凹部的绝缘膜；在所述第一凹部的壁部和底部形成、并具有第二凹部的电容下部电极；由在所述第二凹部的壁部和底部形成、并具有第三凹部的电介质膜构成的电容绝缘膜；和被埋入所述的第三凹部的电容上部电极。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||