| 发明名称 | 氧化锑被覆氧化硅类微粒、其制造方法及含该微粒的膜被覆基材 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种折射率低并且具有导电性的氧化锑被覆氧化硅类微粒。此氧化锑被覆氧化硅类微粒由多孔质的氧化硅类微粒或内部具有空洞的氧化硅微粒上被覆氧化锑而形成。此氧化锑被覆氧化硅类微粒的折射率在1.35～1.60的范围内，体积电阻值在10～5000Ω/cm的范围内，平均粒径在5～300nm的范围内，氧化锑被覆层的厚度在0.5～30nm的范围内。 | ||
| 申请公布号 | CN1608986A | 申请公布日期 | 2005.04.27 |
| 申请号 | CN200410084010.4 | 申请日期 | 2004.10.13 |
| 申请人 | 触媒化成工业株式会社 | 发明人 | 村口良;熊泽光章;西田广泰;平井俊晴 |
| 分类号 | C01B33/18 | 主分类号 | C01B33/18 |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 | 代理人 | 杨宏军 |
| 主权项 | 1.一种氧化锑被覆氧化硅类微粒，是由氧化硅类微粒与氧化锑被覆层组成的微粒，其特征在于，其折射率在1.35～1.60的范围内，体积电阻值在10～5000Ω/cm的范围内。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||