| 发明名称 | 形成半导体组件的方法 | ||
| 摘要 | 一种形成半导体组件的方法，至少包含以下步骤：形成一结构于一芯片上，该结构具有一第一层与一罩幕层，且该第一层具有一预掺杂的多晶硅层；在移除该罩幕层之前，氧化该芯片以产生一氧化层；以及移除该罩幕层。 | ||
| 申请公布号 | CN1610065A | 申请公布日期 | 2005.04.27 |
| 申请号 | CN200410062342.2 | 申请日期 | 2004.07.06 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 郝静晨;林鸿仁;季明华;沈志恒 |
| 分类号 | H01L21/283;H01L21/336;H01L21/8234;H01L21/8238 | 主分类号 | H01L21/283 |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 王燕秋 |
| 主权项 | 1、一种形成半导体组件的方法，其特征在于，该方法至少包含以下步骤：形成一结构于一芯片上，该结构具有一第一层与一罩幕层，且该第一层具有一预掺杂的多晶硅层；在移除该罩幕层之前，氧化该芯片以产生一氧化层；以及移除该罩幕层。 | ||
| 地址 | 中国台湾 | ||