| 发明名称 | 一种具有栅电介质的场效应器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 对于高性能半导体场效应器件，本发明提供一种结构和制造方法。该器件具有包括一种锗酸盐材料的栅电介质。在具有代表性的实施方案中，该栅电介质基本上是一层锗酸盐材料。这种材料的化学组成是Me<SUB>z</SUB>Ge<SUB>x</SUB>O<SUB>y</SUB>，其中Me表示具有高离子极化率的一种金属，而x，y，和z非零整数。从介电常数，势垒高度，载流子迁移率，热稳定性和界面稳定性等观点来看，这样一种栅电介质是有利的。 | ||
| 申请公布号 | CN1610128A | 申请公布日期 | 2005.04.27 |
| 申请号 | CN200410085012.5 | 申请日期 | 2004.10.13 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | 艾弗格尼·果瑟夫;阿莱桑多·瑟萨利·卡勒加利;戴安尼·L·蕾斯;黛博拉·安·纽梅尔;尚慧玲 |
| 分类号 | H01L29/78;H01L21/336 | 主分类号 | H01L29/78 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1.一种具有栅电介质的场效应器件，其中栅电介质包括锗酸盐材料。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||